Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6015FNX

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
15 A
Power dissipation
77 W
Gate-source voltage
±30 V
On-state resistance
0.35 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 500 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%668,62 ₽

Сумма · с НДС 22%15 378,26 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 23668,62 ₽
от 30558,45 ₽
от 50535,66 ₽
от 100518,56 ₽
от 300457,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6015FNX
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current15 A
Power dissipation77 W
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 15A; 77W

Документация

Документы пока не предоставлены.