Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6014YNX3C16

R6014YNX3C16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Power dissipation
132 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%366,74 ₽

Сумма · с НДС 22%14 669,60 ₽

От 40 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40366,74 ₽
от 50344,17 ₽
от 100327,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6014YNX3C16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Power dissipation132 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 132W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.