Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6014YND3TL1

R6014YND3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Рассеиваемая мощность
132 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 495 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%392,64 ₽

Сумма · с НДС 22%14 527,68 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 37392,64 ₽
от 50271,68 ₽
от 100256,80 ₽
от 300245,63 ₽
от 500217,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6014YND3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Рассеиваемая мощность132 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 132W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.