Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6011ENJTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
0.34 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 472 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%434,85 ₽

Сумма · с НДС 22%15 219,75 ₽

От 35 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 35434,85 ₽
от 50301,77 ₽
от 100283,03 ₽
от 300245,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6011ENJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.34 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 11A; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.