Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6011END3TL1

R6011END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
22 A
Power dissipation
124 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6011END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation124 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance720 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.