Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6010YNXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
47 W
Gate-source voltage
±30 V
On-state resistance
390 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%208,51 ₽

Сумма · с НДС 22%14 595,70 ₽

От 70 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 70208,51 ₽
от 420187,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6010YNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность47 W
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance390 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 7A; 47W

Документация

Документы пока не предоставлены.