Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6010YNX3C16

R6010YNX3C16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
10 A
Power dissipation
92 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 79 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%365,96 ₽

Сумма · с НДС 22%14 638,40 ₽

От 40 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40365,96 ₽
от 50258,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6010YNX3C16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current10 A
Power dissipation92 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance390 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 92W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.