Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6010YND3TL1

R6010YND3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
10 A
Power dissipation
92 W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6010YND3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current10 A
Power dissipation92 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance390 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 92W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.