Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6009RND3TL1

R6009RND3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 96 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%180,50 ₽

Сумма · с НДС 22%14 620,50 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 81180,50 ₽
от 486161,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6009RND3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current9 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance665 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; 125W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.