Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6009JNJGTL

R6009JNJGTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
27 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6009JNJGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current9 A
Pulsed drain current27 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance585 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.