Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6009END3TL1

R6009END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6009END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current9 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation94 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.