ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R6007JNXC7G
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 7 A
- Power dissipation
- 46 W
- Корпус
- TO220-3
- Gate-source voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 970 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%356,42 ₽
Сумма · с НДС 22%14 969,64 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 42 | 356,42 ₽ | |
| от 50 | 252,38 ₽ | |
| от 100 | 235,04 ₽ | |
| от 300 | 223,48 ₽ | |
| от 500 | 198,44 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R6007JNXC7G |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 7 A |
| Power dissipation | 46 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 780 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 17.5nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 600V; 7A; 46W; TO220-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.