Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6007JNJGTL

R6007JNJGTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6007JNJGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation96 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance780 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.