Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6006KND3TL1

R6006KND3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
70 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6006KND3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность70 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.