Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6004PND3FRATL

R6004PND3FRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4 A
Power dissipation
65 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6004PND3FRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current4 A
Power dissipation65 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 4A; 65W; DPAK,TO252; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.