Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6004ENX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600V
Drain current
4A
Power dissipation
40W
Gate-source voltage
±20V
On-state resistance
980mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6004ENX
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600V
Drain current4A
Power dissipation40W
Gate-source voltage±20V
On-state resistance980mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 4A; 40W

Документация

Документы пока не предоставлены.