Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6004END3TL1

R6004END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
59 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6004END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation59 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.36 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.