Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6002END3TL1

R6002END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
1.7 A
Pulsed drain current
4 A
Рассеиваемая мощность
26 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6002END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current1.7 A
Pulsed drain current4 A
Рассеиваемая мощность26 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.