ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R5205PND3FRATL
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 525 V
- Drain current
- 5 A
- Рассеиваемая мощность
- 65 W
- Корпус
- DPAK, TO252
- Gate-source voltage
- ±30 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 460 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%389,71 ₽
Сумма · с НДС 22%14 419,27 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 37 | 389,71 ₽ | |
| от 50 | 272,24 ₽ | |
| от 100 | 257,32 ₽ | |
| от 300 | 246,13 ₽ | |
| от 500 | 218,16 ₽ | |
| от 1000 | 216,30 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R5205PND3FRATL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 525 V |
| Drain current | 5 A |
| Рассеиваемая мощность | 65 W |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.6 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10.8nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 525V; 5A; 65W; DPAK,TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.