ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор QS8M51HZGTR
TSMT8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N/P-MOSFET
- Drain-source voltage
- 100 V
- Корпус
- TSMT8
- Gate-source voltage
- ±20 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Kind of channel
- enhancement
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 780 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%100,29 ₽
Сумма · с НДС 22%14 842,92 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 148 | 100,29 ₽ | |
| от 300 | 89,09 ₽ | |
| от 500 | 86,43 ₽ | |
| от 1000 | 76,55 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | QS8M51HZGTR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Корпус | TSMT8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; 100V; TSMT8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.