Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8M51FRATR

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100/-100 V
Drain current
2/-1.5 A
Pulsed drain current
6 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяQS8M51FRATR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100/-100 V
Drain current2/-1.5 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMD8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance355/540 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.7/17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 2/-1.5A; Idm: 6A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.