Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8M31TR

QS8M31TR
Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60 V
Drain current
3/-2 A
Pulsed drain current
4...6 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 960 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%207,04 ₽

Сумма · с НДС 22%207,04 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1207,04 ₽
от 10143,03 ₽
от 10097,44 ₽
от 25084,53 ₽
от 50076,55 ₽
от 100069,33 ₽
от 300060,40 ₽
от 600058,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяQS8M31TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60 V
Drain current3/-2 A
Pulsed drain current4...6 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMD8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance137/266 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4/7.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.