Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8K11TCR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяQS8K11TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.