Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8J5TR

Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-5 A
Pulsed drain current
-20 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяQS8J5TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-5 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.