ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8J4TR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.5W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	QS8J4TR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-4A
Pulsed drain current	-16A
Power dissipation	1.5W
Корпус	TSMT8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	84mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.