ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS8J13TR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -5.5 A
Pulsed drain current: -18 A
Power dissipation: 1.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	QS8J13TR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-5.5 A
Pulsed drain current	-18 A
Power dissipation	1.5 W
Корпус	TSMT8
On-state resistance	58 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	60nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -5.5A; Idm: -18A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.