ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS6M4TR

Фото уточняется

Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	QS6M4TR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30/-20V
Drain current	1.5/-1.5A
Pulsed drain current	6A
Power dissipation	1.25W
Корпус	TSMT6
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	360/430mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.6/3nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 1.5/-1.5A; Idm: 6A

Документация

Документы пока не предоставлены.