ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS6K21FRATR

TSMT6Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45 V
Drain current: 1 A
Pulsed drain current: 2 A
Power dissipation: 1.25 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	QS6K21FRATR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	45 V
Drain current	1 A
Pulsed drain current	2 A
Power dissipation	1.25 W
Корпус	TSMT6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	585 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 1A; Idm: 2A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.