Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS6K1TR

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
4 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 797 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%210,20 ₽

Сумма · с НДС 22%210,20 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1210,20 ₽
от 10128,70 ₽
от 2592,56 ₽
от 5073,02 ₽
от 7564,53 ₽
от 10059,74 ₽
от 15054,39 ₽
от 50045,54 ₽
от 100043,15 ₽
от 300040,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяQS6K1TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1 A
Pulsed drain current4 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance364 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документ производителя