Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS6K1FRATR

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
4 A
Power dissipation
1.25 W

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяQS6K1FRATR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1 A
Pulsed drain current4 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance364 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.