ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS6J11TR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.25W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	QS6J11TR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-2A
Pulsed drain current	-8A
Power dissipation	1.25W
Корпус	TSMT6
Gate-source voltage	±10V
On-state resistance	0.4Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	6.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.