ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор QS5U16TR
- Type of transistor
- N-MOSFET + Schottky
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 0.5 A
- Pulsed drain current
- 2 A
- Power dissipation
- 1.25 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | QS5U16TR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET + Schottky |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 0.5 A |
| Pulsed drain current | 2 A |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Корпус | TSOT25 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 154 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.