Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS5U16TR

QS5U16TR
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.5 A
Pulsed drain current
2 A
Power dissipation
1.25 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяQS5U16TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET + Schottky
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.5 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSOT25
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance154 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A

Документация

Документы пока не предоставлены.