Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QS5U13TR

QS5U13TR
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
2A
Pulsed drain current
8A
Power dissipation
0.9W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяQS5U13TR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET + Schottky
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current2A
Pulsed drain current8A
Power dissipation0.9W
КорпусTSOT25
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW

Документация

Документы пока не предоставлены.