ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор QS5K2TR
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 2 A
- Pulsed drain current
- 8 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.25 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 48 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%189,38 ₽
Сумма · с НДС 22%189,38 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 189,38 ₽ | |
| от 10 | 122,64 ₽ | |
| от 50 | 88,81 ₽ | |
| от 100 | 77,59 ₽ | |
| от 500 | 57,55 ₽ | |
| от 1000 | 51,12 ₽ | |
| от 1500 | 47,81 ₽ | |
| от 3000 | 43,02 ₽ | |
| от 6000 | 38,80 ₽ | |
| от 9000 | 37,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | QS5K2TR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 2 A |
| Pulsed drain current | 8 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Корпус | TSOT25 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 154 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | common source |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.