Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QH8MA2TCR

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
4.5/-3 A
Pulsed drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяQH8MA2TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current4.5/-3 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance56/115 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8/8.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/-3A; Idm: 12A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.