Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QH8KE6TCR

Type of transistor
N-MOSFET x2
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4 A
Корпус
TSMT8
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
56 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%100,29 ₽

Сумма · с НДС 22%14 742,63 ₽

От 147 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 147100,29 ₽
от 30089,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяQH8KE6TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
Drain-source voltage100 V
Drain current4 A
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance56 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; 100V; 4A; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.