ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор QH8K26TR
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40V
- Drain current
- 7A
- Pulsed drain current
- 18A
- Power dissipation
- 2.6W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | QH8K26TR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40V |
| Drain current | 7A |
| Pulsed drain current | 18A |
| Power dissipation | 2.6W |
| Корпус | TSMT8 |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.9nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7A; Idm: 18A; 2.6W; TSMT8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.