Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор QH8JA1TCR

Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-5 A
Pulsed drain current
-18 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяQH8JA1TCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-5 A
Pulsed drain current-18 A
Power dissipation1.5 W
КорпусTSMT8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance77 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -18A; 1.5W; TSMT8

Документация

Документы пока не предоставлены.