ONSEMI
Транзистор PZT651T1G
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 60 V
- Collector current
- 2 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.8 W
- Корпус
- SOT223-4, TO261-4
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 888 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%167,85 ₽
Сумма · с НДС 22%167,85 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 167,85 ₽ | |
| от 10 | 112,08 ₽ | |
| от 50 | 88,80 ₽ | |
| от 100 | 79,41 ₽ | |
| от 200 | 70,39 ₽ | |
| от 500 | 56,31 ₽ | |
| от 1000 | 44,76 ₽ | |
| от 2000 | 42,96 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PZT651T1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 60 V |
| Collector current | 2 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.8 W |
| Корпус | SOT223-4, TO261-4 |
| Current gain | 40 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Частота | 75 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.