Антава

NEXPERIA

Транзистор PXN010-30QLJ

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
28 A
Pulsed drain current
264 A
Рассеиваемая мощность
4.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPXN010-30QLJ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current28 A
Pulsed drain current264 A
Рассеиваемая мощность4.3 W
КорпусMLPAK33
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 264A; 4.3W; MLPAK33

Документация

Документы пока не предоставлены.