Антава

PANJIT

Транзистор PSMQB550N10NS2_R2_00201

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
68 A
Pulsed drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
18 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMQB550N10NS2_R2_00201
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current68 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность18 W
КорпусDFN5060-8
Gate-source voltage20 V
On-state resistance47 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 12A; 18W; DFN5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.