NEXPERIA

Транзистор PSMNR70-30YLHX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 281 A
Pulsed drain current: 1589 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMNR70-30YLHX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NextPowerS3
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	281 A
Pulsed drain current	1589 A
Рассеиваемая мощность	268 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	157nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A

Документация

Документы пока не предоставлены.