Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN9R5-100BS,118

PSMN9R5-100BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
89 A
Pulsed drain current
355 A
Рассеиваемая мощность
211 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN9R5-100BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current89 A
Pulsed drain current355 A
Рассеиваемая мощность211 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 89A; Idm: 355A; 211W

Документация

Документы пока не предоставлены.