Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN8R7-80BS,118

PSMN8R7-80BS,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
361 A
Рассеиваемая мощность
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN8R7-80BS,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current90 A
Pulsed drain current361 A
Рассеиваемая мощность170 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W

Документация

Документы пока не предоставлены.