NEXPERIA
Транзистор PSMN8R5-60YS,115
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 76 A
- Pulsed drain current
- 303 A
- Рассеиваемая мощность
- 106 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 283 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%220,73 ₽
Сумма · с НДС 22%220,73 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 220,73 ₽ | |
| от 10 | 199,02 ₽ | |
| от 25 | 184,55 ₽ | |
| от 100 | 175,50 ₽ | |
| от 250 | 157,41 ₽ | |
| от 500 | 146,55 ₽ | |
| от 1000 | 142,93 ₽ | |
| от 1500 | 135,70 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN8R5-60YS,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 76 A |
| Pulsed drain current | 303 A |
| Рассеиваемая мощность | 106 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 5.6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 39nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.