Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
82 A
Pulsed drain current
326 A
Рассеиваемая мощность
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 034 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%333,77 ₽

Сумма · с НДС 22%333,77 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1333,77 ₽
от 10300,21 ₽
от 25249,86 ₽
от 100225,62 ₽
от 250210,70 ₽
от 500201,38 ₽
от 1000180,87 ₽
от 1500167,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяPSMN8R2-80YS,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current82 A
Pulsed drain current326 A
Рассеиваемая мощность130 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.