NEXPERIA

Транзистор PSMN8R0-80YLX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 75 A
Pulsed drain current: 423 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN8R0-80YLX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	75 A
Pulsed drain current	423 A
Power dissipation	238 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	21.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	104nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W

Документация

Документы пока не предоставлены.