Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN7R8-100PSEQ

PSMN7R8-100PSEQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
83 A
Pulsed drain current
473 A
Power dissipation
294 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN7R8-100PSEQ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current83 A
Pulsed drain current473 A
Power dissipation294 W
КорпусSOT78, TO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge128nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W

Документация

Документы пока не предоставлены.