NEXPERIA

Транзистор PSMN6R5-80BS,118

PSMN6R5-80BS,118

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 470 A
Рассеиваемая мощность: 210 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN6R5-80BS,118
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	470 A
Рассеиваемая мощность	210 W
Корпус	D2PAK, SOT404
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	5.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	71nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W

Документация

Документы пока не предоставлены.