Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN6R0-30YL,115

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
79 A
Pulsed drain current
292 A
Рассеиваемая мощность
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN6R0-30YL,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current79 A
Pulsed drain current292 A
Рассеиваемая мощность55 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 292A; 55W

Документация

Документы пока не предоставлены.